晶體管 FDA59N25 MOSFET
發布時間：2018/8/17
FDA59N25介紹：
描述 MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
制造商標準提前期 16 周
詳細描述 通孔 N 溝道 250V 59A（Tc） 392W（Tc） TO-3PN
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 UniFET??
包裝 管件
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 250V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 59A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 49 毫歐 @ 29.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 82nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4020pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 392W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3PN
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩壓電路；在計算機電源中，主要用于開關電源。
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