晶體管 SIHP33N60E FET-MOSFET
發布時間：2018/6/28
SIHP33N60E介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 通孔 N 溝道 600V 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包裝 ? 散裝 ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 33A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 99 毫歐 @ 16.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 150nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3508pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 278W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;
安富利（深圳）商貿有限公司，全球最專業的配單專家。一手貨源!價格優勢！
所出的物料，絕對原裝正品！放心購買！
本公司為一般納稅人，可開16%增值稅票！歡迎垂詢！
地址：深圳市前海深港合作區前灣一路1號A棟201
電話：0755-83259719
在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在積體電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區別。
