晶體管 DMN1150UFB-7B MOSFET - 單
發布時間：2018/6/15
DMN1150UFB-7B介紹：
描述 MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 12V 1.41A（Ta） 500mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1.41A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 150 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 1.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±6V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 106pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 3-DFN1006（1.0x0.6）
封裝/外殼 3-UFDFN
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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靜電感應晶體管SIT(Static Induction Transistor)誕生于1970年，實際上是一種結型場效應晶體管。晶體管是一種半導體器件，放大器或電控開關常用。晶體管是規范操作電腦，手機，和所有其他現代電子電路的基本構建塊。
