存儲器 CY62167EV18LL-55BVXI SRAM
發布時間：2018/6/25
CY62167EV18LL-55BVXI介紹：
描述 IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
制造商標準提前期 11 周
詳細描述 SRAM - 異步 存儲器 IC 16Mb （1M x 16） 并聯 55ns 48-VFBGA（6x8）
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 MoBL?
包裝 ? 托盤 ?
零件狀態 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 SRAM
技術 SRAM - 異步
存儲容量 16Mb （1M x 16）
寫周期時間 - 字，頁 55ns
訪問時間 55ns
存儲器接口 并聯
電壓 - 電源 1.65 V ~ 2.25 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 48-VFBGA
供應商器件封裝 48-VFBGA（6x8）
基本零件編號 CY62167
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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你可能遇到的一種類型的存儲芯片問題是災難性的失效。這通常是在加工好之后芯片受到物理或者是電子損傷造成的。災難性失效是少見的，通常影響芯片中的大部分。因為一大片區域受到影響，所以災難性的失效當然可以被合適的測試算法檢測到。
