MOSFET - 單 RTL030P02TR 半導體產品
發布時間：2018/5/31
RTL030P02TR介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 20V 3A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 不適用於新設計
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 760pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 70 毫歐 @ 3A，4.5V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TUMT6
封裝/外殼 6-SMD，扁平引線
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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MOSFET并非模擬電路設計工程師的首選，因為模擬電路設計重視的性能參數，如晶體管的轉導（transconductance）或是電流的驅動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術的不斷演進，今日的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規格需求。
